โตชิบาเปิดตัว SiC MOSFET รุ่นที่ 3 ที่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้แก่อุปกรณ์อุตสาหกรรม

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น--(BUSINESS WIRE)--30 สิงหาคม 2565
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("โตชิบา") ได้เปิดตัวอุปกรณ์ไฟฟ้ารุ่นใหม่ในซีรีส์ “TWxxNxxxC” อย่าง MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) รุ่นที่ 3[1] [2] ที่ให้ค่าความต้านทานไฟฟ้าต่ำและลดสูญเสียเนื่องจากการเปลี่ยนสถานะได้อย่างมาก ผลิตภัณฑ์รุ่นนี้มี 10 รายการ ได้แก่ ผลิตภัณฑ์ 1200 โวลต์จำนวน 5 รายการ และ 650 โวลต์ จำนวน 5 รายการ โดยออกสู่ตลาดแล้ววันนี้

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ช่วยลดความต้านทานต่อหน่วยพื้นที่ (RDS(ON)A) ลงประมาณ 43%[3] ทำให้เกิดความต้านทานไฟฟ้าของขาเดรนกับซอร์ส * ลักษณะการชาร์ของขาเกตและเดรน (RDS(ON)*Qgd) ซึ่งเป็นดัชนีสำคัญที่แสดงถึงความสัมพันธ์ระหว่างการสูญเสียการนำไฟฟ้าและการสูญเสียเนื่องจากการเปลี่ยนสถานะ ซึ่งจะลดลงประมาณ 80%[4]

ผลิตภัณฑ์นี้ช่วยลดการสูญเสียเนื่องจากการเปลี่ยนสถานะ 20%[5] และลดทั้งความต้านทานไฟฟ้าและการสูญเสียเนื่องจากการเปลี่ยนสถานะ รวมทั้งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้แก่อุปกรณ์มากขึ้น

โตชิบาจะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์อุปกรณ์ไฟฟ้าและปรับปรุงโรงงานผลิต และตั้งเป้าสร้างเศรษฐกิจที่ปราศจากก๊าซคาร์บอนโดยการจัดหาอุปกรณ์ไฟฟ้าประสิทธิภาพสูงที่ใช้งานง่าย

หมายเหตุ:

[1] โตชิบาได้พัฒนาโครงสร้างอุปกรณ์ที่ลดความต้านทานไฟฟ้าต่อหน่วยพื้นที่ (RDS(ON)A) โดยใช้โครงสร้างที่มีไดโอดกั้น schottky ในตัวที่พัฒนาขึ้นสำหรับ SiC MOSFET รุ่นที่ 2 และยังลดความจุป้อนกลับในบริเวณทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ทางแยก

[2] MOSFET คือ ทรานซิสเตอร์แบบ field-effect ของเซมิคอนดักเตอร์เมทัลออกไซด์

[3] จากการสำรวจของโตชิบา เปรียบเทียบ SiC MOSFET ขนาด 1200 โวลต์ใหม่กับ SiC MOSFET รุ่นที่ 2 เมื่อตั้งค่า RDS(ON)A เป็น 1

[4] จากการสำรวจของโตชิบา เปรียบเทียบ SiC MOSFET ขนาด 1200 โวลต์ใหม่กับ SiC MOSFET รุ่นที่ 2 เมื่อตั้งค่า RDS(ON)*Qgd เป็น 1

[5] จากการสำรวจของโตชิบา เปรียบเทียบ SiC MOSFET ขนาด 1200 โวลต์ใหม่กับ SiC MOSFET รุ่นที่ 2

การใช้งาน
・สวิตช์จ่ายไฟ (เซิร์ฟเวอร์ ศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์สื่อสาร ฯลฯ)
・สถานีชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า
・อินเวอร์เตอร์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์
・เครื่องสำรองไฟ (UPS)

คุณสมบัติ
・ความต้านทานต่ำต่อหน่วยพื้นที่ (RDS(ON)A)
・ความต้านทานไฟฟ้าของขาเดรนกับซอร์ส * ลักษณะการชาร์ของขาเกตและเดรนต่ำ(RDS(ON)*Qgd)
・แรงดันของไดโอดต่ำ: VDSF= -1.35V (typ.) @VGS= -5V