Toshiba เปิดตัว SiC MOSFET รุ่นที่ 3 ขนาด 650V ในแพ็กเกจ DFN8x8

Toshiba เปิดตัว SiC MOSFET รุ่นที่ 3 ขนาด 650V ในแพ็กเกจ DFN8x8

- สี่อุปกรณ์ใหม่ที่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและความหนาแน่นของพลังงานสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม -

คาวาซากิ, ญี่ปุ่น--(BUSINESS WIRE)--20 พฤษภาคม 2025

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") เปิดตัวซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) MOSFET ขนาด 650V จำนวนสี่ตัวที่มาพร้อมกับอุปกรณ์ใหม่ล่าสุด[1] ชิป SiC MOSFET รุ่นที่ 3 ซึ่งบรรจุอยู่ในแพ็กเกจ DFN8x8 ขนาดกะทัดรัด เหมาะสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์โหมดและเครื่องปรับกำลังไฟฟ้าสำหรับเครื่องกำเนิดไฟฟ้าแบบโฟโตวอลเทอิก ปริมาณการจัดส่งอุปกรณ์ทั้งสี่ตัว "TW031V65C” “TW054V65C” “TW092V65C” และ “TW123V65C” เริ่มแล้ววันนี้

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้เป็น SiC MOSFET รุ่นที่ 3 รุ่นแรกที่ใช้แพ็กเกจ DFN8x8 แบบติดพื้นผิวขนาดเล็ก ซึ่งลดปริมาตรได้มากกว่า 90% เมื่อเทียบกับแพ็กเกจแบบใส่ตะกั่ว เช่น TO-247 และ TO-247-4L(X) และปรับปรุงความหนาแน่นของพลังงานของอุปกรณ์ การติดตั้งบนพื้นผิวยังช่วยให้ใช้ค่าความต้านทานปรสิตได้อีกด้วย[2] ชิ้นส่วนมีขนาดเล็กกว่าแพ็กเกจแบบสอดตะกั่ว ซึ่งช่วยลดการสูญเสียในการสลับ โดย DFN8x8 เป็นแบบ 4 พิน[3] แพ็กเกจนี้ช่วยให้สามารถใช้การเชื่อมต่อแบบเคลวินของขั้วต่อแหล่งสัญญาณสำหรับไดรฟ์เกตได้ ซึ่งจะช่วยลดอิทธิพลของความเหนี่ยวนำในสายแหล่งสัญญาณภายในแพ็กเกจได้ ทำให้มีประสิทธิภาพในการสลับความเร็วสูง ในกรณีของ TW054V65C จะสามารถช่วยลดการสูญเสียการเปิดเครื่องได้ประมาณ 55% และลดการสูญเสียการปิดเครื่องได้ประมาณ 25%[4] เปรียบเทียบกับผลิตภัณฑ์ Toshiba ในปัจจุบัน[5] ช่วยลดการสูญเสียพลังงานในอุปกรณ์

Toshiba จะขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ของตนต่อไปเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์และเพิ่มความจุพลังงาน

หมายเหตุ:
[1] ณ เดือนพฤษภาคม 2025
[2] ความต้านทาน ความเหนี่ยวนำ ฯลฯ
[3] ผลิตภัณฑ์ที่มีพินแหล่งสัญญาณเชื่อมต่อใกล้กับชิป FET
[4] ณ เดือนพฤษภาคม 2025 ค่าที่วัดโดย Toshiba สำหรับรายละเอียด โปรดดูรูปที่ 1 ในเวอร์ชันของรุ่นนี้บนเว็บไซต์ของ Toshiba
[5] SiC MOSFET รุ่นที่ 3 ขนาด 650V ที่มีแรงดันไฟฟ้าเทียบเท่าและความต้านทานการเปิดที่ใช้แพ็กเกจ TO-247 โดยไม่มีการเชื่อมต่อแบบเคลวิน

แอปพลิเคชัน

แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์โหมดในเซิร์ฟเวอร์ ศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์สื่อสาร ฯลฯ
สถานีชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า
อินเวอร์เตอร์โฟโตวอลเทอิก (อินเวอร์เตอร์โซลาร์เซลล์)
เครื่องจ่ายไฟสำรอง

คุณสมบัติ

แพ็กเกจติดตั้งบนพื้นผิว DFN8x8 ช่วยให้สามารถย่อขนาดอุปกรณ์และประกอบอัตโนมัติได้ การสูญเสียการสลับต่ำ
ทรานซิสเตอร์ SiC MOSFET รุ่นที่ 3 ของ Toshiba
การพึ่งพาอุณหภูมิของความต้านทานการเปิด-ปิดของแหล่งจ่ายได้ดีโดยการปรับความต้านทานการดริฟท์และอัตราส่วนความต้านทานของช่องสัญญาณให้เหมาะสม
ความต้านทานการเปิด-ปิดของแหล่งจ่ายต่ำ x ประจุเกต-ท่อระบาย
แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้าของไดโอดต่ำ: VDSF =-1.35V (ทั่วไป) (VGS =-5V)